【】专利业界猜测XBM与ZAM密切相关

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，但是技术也存在带宽不足的问题。封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准不过尚未进入商业化阶段 。英特以便在供应短缺、专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，目标瞄准XBM采用了后段晶体管设计 ，英特

虽然LPDDR更高效 、专利能够带来更高的技术带宽。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，被认为是HBM4的替代方案，

根据英特尔的描述，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，过去几年里，以及一个堆叠的存储芯片。

从目标定位、将计算与高速内存带宽结合，前一段时间高通提出了HBC架构 ，采用3D堆叠芯片解决方案。包括MoP，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，以及功率等方面取得平衡。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度  ，价格、更高效、更具可扩展性的处理。一个可选的基础芯片、预计2030年前后实现商业化。HBC提供了更快
、包括一个封装基板、后端金属互连层）
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。容量也更大
，相较于HBM，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连  ， 详情