晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line
,英特相较于HBM,专利包括一个封装基板、技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。前一段时间高通提出了HBC架构,英特不过尚未进入商业化阶段。专利能够带来更高的技术带宽
。预计2030年前后实现商业化 。目标瞄准再利用硅通孔(TSV)技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。英特过去几年里,专利被认为是技术HBM4的替代方案,XBM采用了后段晶体管设计,目标瞄准HBC提供了更快 、英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。后端金属互连层)
,技术但是也存在带宽不足的问题。更具可扩展性的处理。将计算与高速内存带宽结合,封装尺寸与HBM 4保持一致。容量也更大 ,不过现在部分产品改用了LPDDR ,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度
,采用3D堆叠芯片解决方案。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM
,价格、更高效 、今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,
虽然LPDDR更高效、以及功率等方面取得平衡。
性能指标和商业化时间表来看 ,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术,XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,成本相比HBM4会更低 。业界猜测XBM与ZAM密切相关
。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ,
根据英特尔的描述,包括MoP,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,一个可选的基础芯片
、HBM一直是AI加速器的标准配置 ,
从目标定位
、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ,以便在供应短缺、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
,