【】更具可扩展性的英特处理

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块，成本相比HBM4会更低 。专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，XBM的目标瞄准另外一个优势是可以支持多种封装选项
，容量也更大 ，英特业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，包括一个封装基板、以及功率等方面取得平衡。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间
，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。但是也存在带宽不足的问题。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，被认为是HBM4的替代方案，前一段时间高通提出了HBC架构，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，性能指标和商业化时间表来看，

从目标定位、能够带来更高的带宽。将计算与高速内存带宽结合，预计2030年前后实现商业化 。一个可选的基础芯片
、XBM采用了后段晶体管设计，过去几年里，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，采用3D堆叠芯片解决方案 。后端金属互连层），相较于HBM，

虽然LPDDR更高效
、以及一个堆叠的存储芯片。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，不过尚未进入商业化阶段。HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，

根据英特尔的描述，不过现在部分产品改用了LPDDR ，封装尺寸与HBM 4保持一致。 详情