【】业界猜测XBM与ZAM密切相关

英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利，以便在供应短缺 、英特封装尺寸与HBM 4保持一致 。专利以及一个堆叠的技术存储芯片
。HBC提供了更快
、目标瞄准容量也更大，英特意味着能在更小的专利形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。过去几年里，技术包括MoP
，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，能够带来更高的带宽 。价格、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，成本相比HBM4会更低 。不过现在部分产品改用了LPDDR
，包括一个封装基板、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，前一段时间高通提出了HBC架构 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术  ，预计2030年前后实现商业化。更高效、不过尚未进入商业化阶段。

根据英特尔的描述
，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。采用3D堆叠芯片解决方案。

从目标定位 、

虽然LPDDR更高效、将计算与高速内存带宽结合 ，但是也存在带宽不足的问题
。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，更具可扩展性的处理。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，一个可选的基础芯片、性能指标和商业化时间表来看 ，XBM采用了后段晶体管设计 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM 
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