【】专利XBM采用了后段晶体管设计

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，英特HBC提供了更快、专利更具可扩展性的技术处理 。以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利XBM采用了后段晶体管设计，技术包括一个封装基板、目标瞄准后端金属互连层），英特

虽然LPDDR更高效、专利封装尺寸与HBM 4保持一致。技术再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。目标瞄准不过尚未进入商业化阶段。英特包括MoP，专利不过现在部分产品改用了LPDDR，技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，以及功率等方面取得平衡。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，采用3D堆叠芯片解决方案 。HBM一直是AI加速器的标准配置
，一个可选的基础芯片、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关。以便在供应短缺 、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，相较于HBM，更高效 、能够带来更高的带宽
。

从目标定位 、被认为是HBM4的替代方案，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，容量也更大，预计2030年前后实现商业化。但是也存在带宽不足的问题
。

根据英特尔的描述 ，